矽電容殺進AI封裝 供電最後一哩戰開打

理財周刊/新聞中心 2026-08-26 14:45

愛普*(6531)8月法說會揭露的一組數字,讓矽電容(Silicon Capacitor,SiCap)正式脫離「題材股」範疇:2026年第2季合併營收23.6億元,季增13%、年增78%,其中S-SiCap貢獻6.4億元,季增約12%、年增273%,占營收比重達27%。同年5月,南韓三星電機(009150.KS)公告一紙1.557兆韓元、約10.354億美元的矽電容供應合約,相當於其2025年營收的13.8%,ADI則以15億美元收購Empower Semiconductor,三則消息指向同一件事:AI晶片的供電架構正在改朝換代。

低電壓超大電流 MLCC輸在距離

要理解矽電容,得先理解AI晶片的痛。功率公式P=V×I,AI GPU與ASIC核心電壓被壓在1V上下,功耗卻一路往800W、1kW以上推升,結果就是電流暴增。更麻煩的是GPU並非穩定吃電,大量運算單元同時啟動時,電流可能瞬間由100A跳到900A,形成極大的電流變化,而供電路徑上的寄生電感會讓瞬態壓降依ΔV≈L×di/dt被放大。

傳統做法是在PCB上鋪滿MLCC,但電流得穿過走線、貫孔、BGA、封裝基板、RDL與凸塊才能抵達晶片,每一段都在累積寄生電感。問題往往不是MLCC不好,而是離GPU太遠。TrendForce今年對AI伺服器電源完整性的分析指出,MLCC在PCB、VRM、電源模組等系統層級仍不可或缺,矽電容的價值則在切入近晶片、封裝層級的解耦,補上MLCC與晶片內電容之間的高頻缺口,也就是所謂供電的最後一哩。

深溝槽對決堆疊 三條路線各擅勝場

矽電容並非用矽當介電質,而是以微影、薄膜沉積、蝕刻、ALD等半導體製程,在矽晶圓上做出MIM、MOS、深溝槽或堆疊電容。電容量C∝εA/d,封裝內平面面積無法無限擴張,於是廠商把電極表面積往Z軸折進矽裡,footprint不變,有效面積卻能增加數十倍。

路線一是Deep Trench,代表者為村田製作所(6981.JP)、台積電(2330)與Intel Foundry。台積電官方明示CoWoS-S的矽中介層可整合eDTC,CoWoS-L亦能在SoC下方整合獨立eDTC,2022年年報即揭露SoC、HBM2E、中介層與eDTC已在HPC客戶量產。其發表的Logic-HBM2E研究中,密度約300nF/mm²的DTC讓該測試架構下Logic Core的PDN阻抗與首次壓降分別下降約93%與72%,Intel公布的eDTC能力則指向大於2.5μF/mm²。

AI電源戰場考驗矽電容客製能力

路線二是堆疊式,愛普*以DRAM Stack Capacitor技術切入,厚度小於100μm、可客製凸塊與晶粒尺寸,2025年底再推S-SiCap Gen4,密度達3.8μF/mm²,較Gen3提升逾5成。路線三是MIM與Multi-MIM,線性、高Q與高頻特性佳,但若不3D化密度受限,多與深溝槽混搭。

技術指標不能只看密度。超低ESL才是AI應用的關鍵,Empower高階品做到1pH等級,其次是低ESR、DC Bias穩定性(Class II MLCC標示10μF,實際偏壓下有效容量會縮水)、厚度小於100μm,以及把多組電源域整合進單一晶粒的電容陣列客製能力。Empower去年推出的嵌入式ECAP,已在4×4mm內做到36.8μF,代表矽電容從過去nF級RF元件,跨進數十μF的AI電源戰場。

愛普*純度最高 力積電確認代工

台股部分,愛普*產品已分成IPC、Embedded IPD與LSC三線,分別是帶矽電容的中介層、嵌入封裝基板的元件與基板底部電容。公司透露某嵌入基板應用,單一基板需要接近100顆IPD,需求能見度看到2028年,並預估2027年第1季起出貨快速爬升、S-SiCap全年可能數倍成長,占比有機會超越目前約71%的IoTRAM;惟這是管理層展望,不等於已實現營收。

上游則點名力積電(6770)。愛普*8月法說確認,已分別與力積電及一家大型OSAT簽長期產能保障協議,鎖定未來3至4年IPD產能,預計支付約5.3億元新台幣與2200萬美元。連力積電銅鑼廠設備遷移造成IPC第3季營收遞延、第4季恢復成長,都成了供應鏈連動的反向驗證。不過兩者商業模式不同,愛普*吃的是產品ASP與設計價值,力積電吃的是晶圓製造價值,業績彈性自然有別。來頡(6799)本業為PMIC,與愛普*合作開發3DIC與HPC供電新產品,方向直指IVR加SiCap,但公司表示尚無具體內容可報告,宜歸類為前瞻觀察。

愛普*未公布OSAT基板供應鏈

法人提醒,愛普*並未公布OSAT與基板夥伴名稱,不宜把日月光投控、欣興、南電、景碩認定為確認供應鏈。國巨、華新科(2492)受惠的是AI伺服器整體MLCC需求,與SiCap不是同一條線。愛普*7月董事會通過GDR案,暫定不超過1500萬股、潛在稀釋率不高於8.43%,也是必須計入的變數。

2026年是矽電容的商業化確認年,2027年才是營收驗證年。當一顆AI加速器的用量從個位數走向數十顆、乃至嵌入式的近百顆,成長公式就會從AI晶片出貨成長,升級為晶片數量、單顆用量與產品高階化的三重相乘。

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