半導體製程進入二奈米世代，從原有的FinFET(鰭式場效電晶體)轉向GAA(環繞閘極)架構，並且引進了背面供電技術，這種結構上的劇烈改變，ALD原子層沉積、ALE原子層蝕刻倍數增加，導致二奈米對特殊氣體、稀有金屬與新型材料的消耗量，比三奈米高出10~15倍。
超臨界二氧化碳清洗工藝
二奈米GAA結構中，需要把多層奈米薄膜像三明治一樣堆疊，再精準地把夾心蝕刻掉以懸空奈米片，使得特殊氣體的需求暴增。GAA最難的步驟在於「釋放奈米片」(Nanosheet Release)，要把矽鍺挖掉，只留下矽片，極度依賴超高選擇比的蝕刻氣體，例如三氟化氮與三氟甲烷、高純度氯化氫與氟氣、超臨界二氧化碳。
隨著三奈米、二奈米等先進製程晶圓線路間距極窄、結構高低落差極大(如3D堆疊、GAA架構)，製程中必須大量採用超臨界二氧化碳清洗工藝，以防止晶圓細微結構在清洗後因表面張力而倒塌。
二氧化碳並不是直接開採出來的，而是石油化工、煉油以及製氫等工業製程中的副產品(尾氣)，氣體廠再將這些尾氣回收並進行多級純化。
可是美以伊局勢動盪導致原油供應不穩，加上全球景氣與產業調整，南韓、台灣等地的石化廠與煉油廠開工率明顯下滑，導致能夠拿來純化的二氧化碳原料源頭直接供不應求。
台灣在地化碳捕捉再利用指標廠
高純度二氧化碳(純度通常在99.99%/4N或99.999%/5N以上)的供應商，依據應用領域(半導體電子級、食品級、超臨界萃取或一般工業級)的不同，法國液化空氣集團(Air Liquide)、聯華林德(Linde LienHwa)、台灣三井物產、三井化學，這幾家跨國企業主導了全球與台灣最頂尖的半導體製程用與大宗高純度氣體市場，皆在台灣設有大型純化廠與槽車車隊。
東聯利用既有乙二醇(EG)製程中產生的副產物二氧化碳進行捕捉與高純度純化，成功打入電子級二氧化碳與精細特化品市場，是台灣在地化碳捕捉再利用的指標廠。
原料成本接近零的副產物 變現為高價特化品
東聯的高純度電子級二氧化碳目前的營收占比非常低，估計僅在1%至2%左右，雖然是先進製程缺貨潮與碳捕捉CCUS概念股，但由於東聯整體營收基底龐大，該產品目前對整體營收的直接貢獻仍小，可是電子級高純度二氧化碳的獨立毛利率極高，預估落在35%至45%的超高水準。
因為對東聯而言，這原本是需要排放(甚至面臨未來被徵收碳費)的廢氣，透過碳捕捉(CCUS)技術將其回收並純化，等於是將原料成本接近零的副產物變現為高價特化品。這種循環經濟的模式，使得該產品扣除固定資產折舊與電力純化成本後，能創造出極高的邊際毛利。
最快下半年挑戰單季虧轉盈
東聯在6月23日法說會提到，將會持續鎖定半導體客戶群為主，並規劃在未來幾年內將整體氣體事業(以高純度CO₂為核心)」的營收占比，由目前的6.7%逐步提升至兩成，興建中的高效率氣體五廠預計於2026 年底前正式投產，屆時將取代舊有低效機組，進一步拉低電力成本並擴大產出。
最快可望在2026年下半年挑戰單季虧轉盈，並力拚2026年全年度達成損益兩平或小幅獲利(0~0.2元)。
