成大「3奈米元件技術與半導體應用研討會」 想像未來世界發展

記者吳順永/台南報導 2018-02-24 07:30

台積電副總暨技術長孫元成。   

由成大研發處、台積電-成大聯合研發中心主辦,台積電、國研院、國家奈米元件實驗室協辦,「3奈米元件技術與半導體應用研討會」2/23在成大光復校區國際會議廳舉行。

邀請到台積電副總暨技術長孫元成專題演講「半導體技術未來趨勢與機會」,吸引擠滿會場的師生。

成大校長蘇慧貞致詞勉勵,成大的人才有能力帶頭創新走在世界前面,而非只是跟著改變走,期待與台積電一起,看見各種可能。

台積電先進的3奈米製程新廠日前宣布落腳南科,早前已成立4年多的「台積電-成大聯合研發中心」在產學合作提升半導體製程研究及技術人才培育上扮演重要角色。

3奈米是指積體電路的線寬大小,線寬愈小,晶圓能產出的晶片數量也愈多。目前半導體製程技術已進展到10米,半導體業界估計未來10年內5至3奈米製程會出現。

台積電董事長張忠謀也曾預估,3奈米製程應會出現,2奈米則不確定,3奈米的應用將以雲端運算、人工智慧、5G處理器為主。

孫元成則強調,半導體需求永遠在,永遠沒辦法被滿足,未來世界人工智能將無所不在,這些裝置的背後就是半導體,從AR、VR、5G到自駕車的發展,都與半導體製程發展有關,AI許多智慧功能,現在才開始,都要靠半導體。

同時現在半導體製程已不是傳統摩爾定律,晶片堆疊的3D技術將可改變過去平面製程晶片擁擠的問題,並產生提高執行效率、縮小體積等優勢。

3D堆疊技術仍面臨著挑戰,材料是其中之一,以導體來說,銅是最好,但20奈米以下就不是最好,研究上銅已被其他材料超越。孫元成認為,半導體發展奈米級的材料很重要,因此化工、物理、材料等相關學科,未來發展很有機會參與到半導體領域。

孫元成說,3D堆疊技術讓摩爾定律柳暗花明,只是花了一些時間,抱持不怕困難,能做多少就是多少的積極態度,創新就會出現。所謂的「極限」是什麼,得跨出下一步才知道是不是極限,希望在座師生要敢於作夢,勇於嘗試。

台積電希望與成大未來有更多新技術的應用與合作,從成大到台灣都要走在世界的前面,而非只是追隨者。

清大電機工程學系教授暨微電子學門召集人張孟凡教授演講「3奈米元件技術的可能應用」,國家奈米元件實驗室葉文冠主任演講「國家奈米元件實驗室對3奈米元件技術的支援與合作」,國家奈米元件實驗室李耀仁博士演講「IEDM之前瞻元件趨勢」。

 

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