長江存儲（YMTC）在 2026 年已成為全球 NAND Flash 市場中不容忽視的「第三勢力」。儘管面臨美國的技術制裁，長江存儲仍透過自主研發的 Xtacking 架構與激進的擴產計畫，成功在技術與市佔率上緊追國際大廠。
以下是長江存儲在 2026 年的最新發展概況：
1. 產能大爆發：武漢三期提前量產
根據2026 年初的最新情報，長江存儲位於武漢的第三期工廠進度大幅超前。
提前投產：原定2027年達成的量產目標，已提前至 2026年下半年實現。
規模目標：預計2026年底總產能將衝刺至每月 30 萬片 晶圓，目標是奪取全球約 13% 至 15% 的市佔率，挑戰進入全球前三名。
2. 技術進程：Xtacking 4.0 與300 層大關
長江存儲利用其專有的 Xtacking 技術（將 CMOS 邏輯電路與存儲單元分開製造再鍵合），有效避開了部分製程限制。
主流技術： 目前已穩定大規模生產 270 層 3D NAND，縮小了與三星（286 層）及 SK 海力士（321 層）的代差。
研發目標： 正在全力研發 300 層以上 的超高堆疊技術，並試圖在位元密度（Bit Density）上超越美系大廠。
不過不必太擔心，台灣記憶體技術的方向跟長江存儲、美光、三星與SK海力士不同
1. 產業定位的差異：代工、模組 vs. 自主研發 IDM
台灣的戰略： 台灣早期在記憶體領域多採取「技術授權」模式（如南亞科與美光合作、華邦電專攻中低容量利基型產品）。台灣最強的是 台積電（晶圓代工） 和 群聯（控制晶片），以及下游的記憶體模組（如金士頓、威剛）。台灣並沒有一家像三星或美光那樣，投入數千億台幣進行「超高層數 NAND Flash」研發的整合元件廠（IDM）。
長江存儲的戰略： 它是中國「國家級」戰略扶植的產物，目標是「從無到有」建立完整的記憶體 IDM 體系。它不計短期盈虧，直接對標全球最高端技術（跳過 2D 研發，直攻 3D），這在商業邏輯上是台灣私人企業難以承受的風險。
2. 核心技術的突破：Xtacking 架構
長江存儲之所以能快速超車，最重要的原因是其研發出的 Xtacking 技術。
傳統做法：三星、美光等大廠是在同一個晶圓上同時做儲存單元（Cell）和邏輯電路（CMOS），這會導致堆疊層數越高，製程越複雜。
Xtacking 做法：長江存儲將儲存單元與邏輯電路「分開在兩片晶圓上製造」，最後再像蓋房子一樣鍵合(Bonding)在一起。這讓長江存儲能用相對成熟的設備，做出比競爭對手密度更高、性能更好的產品，繞開了部分傳統製程的物理瓶頸。
3. 資源投入規模的「降維打擊」
研發經費： 研發先進 NAND Flash 需要天文數字的資金。長江存儲背後有大基金(國家集成電路產業投資基金)的傾力支持，動輒投入數百億美金。
台灣現狀： 台灣的記憶體廠（如南亞科、華邦電、旺宏）目前多聚焦在「利基型」市場（如車用、通訊、工業控制用的中低容量記憶體），追求的是穩定獲利而非與大廠爭奪「最高層數」的技術霸權。
4. 國家政策與「替代需求」
去美化紅利： 受地緣政治影響，中國國內廠商（手機、伺服器、電腦）有極大的「國產化」壓力。長江存儲擁有全球最大的單一市場作為支撐，即便在國際受到制裁，只要在國內普及，就能透過大規模生產不斷優化良率、降低成本。
台灣限制： 台灣廠商必須在全球市場參與純商業競爭，面對三星、SK 海力士、美光三巨頭的價格戰，缺乏強大的「內需保護」，因此不敢貿然投入高風險的先進 NAND Flash 研發。
在記憶體資金大撤出之際，以下將推薦「新」記憶體
2026 記憶體新戰線：從「儲存」轉向「算力」的四大金剛
當市場還在為長江存儲開出的低價產能感到焦慮時，真正的聰明錢已經撤離了傳統的 NAND 戰場，轉向了技術壁壘更高、由 AI 定義的新領域。這四家公司，正是 2026 年這波「記憶體質變」行情中的核心要角：
1. 茂達 (6138)：DDR5 規格升級的「領航者」
避風港邏輯： 長江存儲衝擊的是舊的 DDR4 或通用 NAND，但 2026 年是 AI PC 全面爆發年，DDR5 滲透率已突破 80%。
展望：DDR5 的核心不同於 DDR4，它將電源管理 IC (PMIC) 直接整合在記憶體條上。茂達作為 PMIC 大廠，受惠於這種「規格升級帶來的毛利翻倍」。當別人還在殺價賣顆粒，茂達是在賺取每一條 DDR5 必備的「入城稅」。
2. 志聖 (2467)：HBM 設備的「軍火商」
避風港邏輯：2026 年全球大廠（三星、美光、海力士）為了閃避長江存儲的追擊，全面轉向生產 HBM (高頻寬記憶體)。HBM 的製程與一般記憶體完全不同，它需要極高精準度的熱處理與封裝設備。
展望：志聖成功切入台積電與 HBM 廠的供應鏈，提供關鍵的 Thermal（熱處理）設備。2026 年初，志聖宣布購入 3,000 坪新廠擴產，正說明了 HBM 的需求不是「過剩」，而是「產能根本不夠用」。它是這波記憶體轉型中，最穩健的設備支撐。
3. 創意 (3443)：HBM4 時代的「建築師」
避風港邏輯： 記憶體不再只是儲存，而是要與運算晶片整合。2026 年 HBM4 技術規格確立，這種將記憶體「疊」在晶片上的設計，必須依賴創意（GUC）提供的實體層（PHY）IP。
展望：創意代表的是記憶體產業的「腦袋」。長江存儲可以複製生產線，但無法複製創意的 IP 與台積電的先進封裝整合技術。2026 年創意獲法人調升目標價，主因就在於它掌握了 HBM4 的關鍵進入許可，是 AI 伺服器升級的最大受益者。
4. 世芯-KY (3661)：ASIC 與記憶體整合的「霸主」
避風港邏輯： 世芯不賣記憶體，但它賣的是「吃掉最多記憶體」的 AI 專用晶片（ASIC）。
展望：當群聯在為 NAND 報價下跌發愁時，世芯正忙著幫 Google 和 Amazon 設計下一代吃 HBM 像吃水一樣的運算晶片。2026 年世芯營收預計年增超過 160%，EPS 挑戰新高，這說明了即便記憶體顆粒跌價，「消耗記憶體的載體（ASIC）」 依然貴如珍珠。
