在AI浪潮持續推升算力需求之際，全球記憶體市場正迎來一場比市場原先預期更為漫長的供需失衡。記憶體大廠美光(Micron)對外直言，受限於晶圓廠擴建速度、嚴格的客戶認證流程，以及AI應用對製程與良率的高門檻要求，當前的記憶體短缺狀況，在2028年之前恐怕都難以真正緩解，等同替這一波漲價循環「定錨時間軸」。
美光行動與用戶端業務高層指出，新建晶圓廠並非蓋好就能投產，從設備進駐、試產、良率拉升，到通過AI客戶認證，往往需耗費數年時間。以美光規劃中的新廠為例，即便2027年開始生產，實際對市場形成有效供給，仍可能落在2028年之後，顯示供給端回補速度明顯落後於需求擴張。
AI需求已徹底改寫產能配置邏輯。美光透露，AI與資料中心相關產品在整體記憶體需求中的占比，已由過去約三成快速攀升至五至六成，成為產能分配的優先項目。為了滿足AI伺服器對高頻寬、高容量記憶體的需求，原廠勢必將更多資源投入HBM 與伺服器用DRAM，進一步壓縮PC、手機與消費性應用的供給空間。
產線效率也是供需失衡的隱形推手。隨著客戶同時下單多種容量與不同世代的記憶體產品，工廠必須頻繁切換製程設定，不僅降低有效稼動率，也拉長交期，使市場上「名目產能」與「實際可用產能」之間的落差持續擴大。
在此背景下，市場對2026年第一季的報價走勢普遍偏向樂觀。研調機構預估，一般型DRAM合約價季增幅度上看55%至60%，NAND Flash亦有33%至38% 的漲幅空間，伺服器與企業級SSD成為最大推升力道
